2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

BPD-2STO5B-FW ເປັນ 2mm InGaAs PIN Photodiode TO5 ອອກແບບມາເພື່ອກວດຫາແສງໃນທົ່ວແຖບຄວາມຍາວ 900nm ຫາ 1650nm. ປະກອບດ້ວຍພື້ນທີ່ເຄື່ອນໄຫວຂະຫນາດໃຫຍ່ 2mm ສໍາລັບການປັບປຸງການເກັບແສງ, ການຕອບສະຫນອງສູງ (ປະເພດ. 0.95A/W ທີ່ 1550nm), ກະແສໄຟຟ້າຕ່ໍາ, ແລະ capacitance ຕ່ໍາ. ຕັ້ງຢູ່ໃນໂລຫະ TO5 ທີ່ຜະນຶກເຂົ້າກັນຢ່າງແຂງແຮງ, ສາມາດຫຸ້ມຫໍ່ດ້ວຍປ່ອງຢ້ຽມ optical ແປ, photodiode ສະຫນອງການດໍາເນີນງານໄລຍະຍາວທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ໃນໄລຍະອຸນຫະພູມອຸດສາຫະກໍາຂະຫຍາຍຈາກ -40 ° C ຫາ +85 ° C. ເຫມາະສໍາລັບເຄື່ອງວັດແທກພະລັງງານ optical, ອຸປະກອນການທົດສອບໃຍແກ້ວນໍາແສງ, ລະບົບການຮັບຮູ້ optical, ແລະເຄື່ອງມື NIR spectroscopy.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

Product Overview-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

2mm InGaAs PIN Photodiode TO5 (Model: BPD-2STO5B-FW) ຈາກ Box Optronics ເປັນເຄື່ອງກວດຈັບພາບໃກ້ອິນຟາເຣດ (NIR) ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ອອກແບບມາສໍາລັບການວັດແທກພະລັງງານແສງ, ການທົດສອບ ແລະວັດແທກເສັ້ນໃຍແກ້ວນໍາແສງ, ການຮັບຮູ້ທາງສາຍຕາ ແລະ ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ spectroscopy. ອີງຕາມໂຄງສ້າງ PIN photodiode ທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້, ມັນປ່ຽນສັນຍານ optical ເຫດການຈາກ 900nm ຫາ 1650nm ເຂົ້າໄປໃນ photocurrent ອັດຕາສ່ວນທີ່ມີຄວາມເປັນເສັ້ນທີ່ດີເລີດ, ການຕອບສະຫນອງສູງ, ແລະປະສິດທິພາບໃນໄລຍະຍາວທີ່ຫມັ້ນຄົງ.

ພື້ນທີ່ກວດຈັບຂະຫນາດໃຫຍ່ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມໂດຍສະເພາະສໍາລັບການຊອກຄົ້ນຫາ optical ຊ່ອງຫວ່າງ, ການວັດແທກ beam collimated, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ coupling optical ປະສິດທິພາບແລະການສອດຄ່ອງງ່າຍແມ່ນຕ້ອງການ.

ການອອກແບບແພັກເກັດ TO5 ຂະໜາດກະທັດຮັດ ຊ່ວຍໃຫ້ການເຊື່ອມໂຍງເຂົ້າກັບອຸປະກອນ optical ແລະອຸປະກອນວັດແທກ photonic ໄດ້ງ່າຍ.

ຄຸນສົມບັດຫຼັກ-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· ເສັ້ນຜ່າສູນກາງພື້ນທີ່ເຄື່ອນໄຫວຂະໜາດໃຫຍ່: 2 ມມ ສຳລັບການເກັບກຳແສງ ແລະ ຄວາມທົນທານຕໍ່ການຈັດວາງທີ່ເໜືອກວ່າ

· ໄລຍະການຕອບສະໜອງສະເປກກວ້າງ: 900nm ຫາ 1650nm

· ການຕອບສະໜອງສູງ: 0.9A/W ປົກກະຕິຢູ່ທີ່ 1310nm, 0.95A/W ປົກກະຕິຢູ່ທີ່ 1550nm

· ກະແສມືດຕ່ຳສຳລັບການກວດຫາສັນຍານອ່ອນທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວຄວາມອ່ອນໄຫວສູງ

· ຄວາມຈຸຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ຕ່ຳສຳລັບການຕອບສະໜອງໄວ ແລະ ແບນວິດກວ້າງ

· ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືສູງ ແລະ ຄວາມໝັ້ນຄົງໃນໄລຍະຍາວ

· ຊຸດໂລຫະໜ້າຕ່າງຮາບພຽງ TO5 Hermetic

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· ເຄື່ອງວັດແທກພະລັງງານແສງ ແລະໂມດູນຕິດຕາມພະລັງງານແສງ

· ອຸປະກອນທົດສອບ ແລະວັດແທກເສັ້ນໃຍແສງ

· ລະບົບກວດຈັບສັນຍານແສງ ແລະລະບົບຕິດຕາມພະລັງງານ

· ໃກ້ອິນຟາເຣດ (NIR) spectroscopy ແລະເຄື່ອງມືການວິເຄາະ

· ລະບົບກວດສອບ ແລະຄວບຄຸມພະລັງງານດ້ວຍເລເຊີ

· ລະບົບກວດຈັບແສງພື້ນທີ່ຫວ່າງ ແລະລະບົບການຮັບຮູ້ແສງ

· ການປັບທຽບແລະການປັບຕົວອັດຕະໂນມັດແສງ

· ການຄົ້ນຄວ້າ Photonics ແລະເຄື່ອງມືໃນຫ້ອງທົດລອງ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະທາງດ້ານເຕັກນິກ-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

ຄະແນນສູງສຸດຢ່າງແທ້ຈິງ (TC = 25°C)

ພາລາມິເຕີ	ສັນຍາລັກ	ຄະແນນ	ໜ່ວຍ
ແຮງດັນ Reverse	VRmax	20	V
ອຸນຫະພູມກໍລະນີປະຕິບັດງານ	ເທິງ	-40 ~ +85	°C
ອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ	TST	-55 ~ +120	°C

ຄຸນລັກສະນະທາງແສງໄຟຟ້າ (TC = 25°C)

ພາລາມິເຕີ	ສັນຍາລັກ	ສະພາບການທົດສອບ	ຕ່ຳສຸດ	ພິມ.	ສູງສຸດ.	ໜ່ວຍ
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງພື້ນທີ່ເຄື່ອນໄຫວ	φ	-	-	2	-	ມມ
ຂອບເຂດ Spectral	λ	-	900	-	1650	ນມ
ການຕອບສະໜອງ @ 1310nm	R	VR = 0V	0.85	0.9	-	A/W
ການຕອບສະຫນອງ @ 1550nm	R	VR = 0V	-	0.95	-	A/W
ປະຕິບັດການແຮງດັນ Reverse	VR	-	-	-	-5	V
ກະແສມືດ	ID	VR = -5V	-	2	10	ນ
ຄວາມຈຸ	C	VR = -5V, f = 1MHz	-	160	230	pF
ຄວາມຈຸ	C	VR = 0V, f = 1MHz	-	400	600	pF

ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກ Box Optronics 2mm InGaAs PIN Photodiode?

· ປະສິດທິພາບ ແລະ ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືທີ່ສອດຄ່ອງ

· ການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບຢ່າງເຂັ້ມງວດ

· ລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ

· MOQ ທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ — ຮອງຮັບທັງປະລິມານ R&D ຂະໜາດນ້ອຍ ແລະຄຳສັ່ງການຜະລິດປະລິມານ

· ການຂົນສົ່ງລະຫວ່າງປະເທດຜ່ານ DHL/UPS/FedEx ພ້ອມກັບການຕິດຕາມຢ່າງເຕັມທີ່

Package Dimensions and Pin Definition-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

ຂໍ້ມູນການສັ່ງຊື້-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

ນາມສະກຸນ

BPD - X X TO XX - X - X

ຕົວຢ່າງ: BPD-2STO5B-FW

ພາກສະຫນາມ	ລະຫັດ	ລາຍລະອຽດ
ຊຸດຜະລິດຕະພັນ	BPD	ຊຸດ Photodiode ກ່ອງ
ຂະໜາດພື້ນທີ່ເຄື່ອນໄຫວ	2ສ	2S = ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 2mm (1S = 1mm, 3S = 3mm, 5S = 5mm)
ປະເພດແພັກເກດ	TO5	TO5 = TO5 ຊຸດ (TO46=TO46)
ປະເພດ PIN	B	B = B type pin-out
ປະເພດປ່ອງຢ້ຽມ	FW	FW = ປ່ອງຢ້ຽມແປ

ຄຳຖາມທີ່ຖາມເລື້ອຍໆ (FAQ)-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

Q: ຄວາມແຕກຕ່າງກັນລະຫວ່າງ photodiodes ພື້ນທີ່ເຄື່ອນໄຫວ 1mm ແລະ 2mm ແມ່ນຫຍັງ?

A: ຄວາມແຕກຕ່າງຫຼັກລະຫວ່າງສອງອຸປະກອນແມ່ນຂະຫນາດຂອງພື້ນທີ່ການເຄື່ອນໄຫວຂອງພວກເຂົາ.

InGaAs PD 2 ມມ ມີພື້ນທີ່ເກັບກຳແສງທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ ແລະ ຄວາມທົນທານໃນການຈັດວາງທີ່ດີຂຶ້ນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເໝາະສຳລັບການກວດຫາທາງສາຍຕາ ແລະ ແອັບພລິເຄຊັນທີ່ມີເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງລຳແສງໃຫຍ່ກວ່າ.

ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວ PD 1mm ມີຄຸນສົມບັດຄວາມຈຸຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ຕໍ່າລົງ, ເຮັດໃຫ້ແບນວິດທີ່ສູງຂຶ້ນ ແລະຕອບສະໜອງໄດ້ໄວຂຶ້ນ.

ການເລືອກອຸປະກອນຄວນຈະອີງໃສ່ຄວາມຕ້ອງການຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ສໍາຄັນ, ລວມທັງປະສິດທິພາບການເກັບກໍາແສງສະຫວ່າງ, ຄວາມທົນທານການຈັດຕໍາແຫນ່ງ, ແລະຄວາມໄວຕອບສະຫນອງ.

ຖາມ: ຂ້ອຍຄວນໃຊ້ແຮງດັນ reverse ໃດ?

A: ແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ແນະນໍາແມ່ນປົກກະຕິ -5V ສໍາລັບ photodiode ນີ້. ການນຳໃຊ້ຄວາມລຳອຽງດ້ານຫຼັງຈະຫຼຸດຄວາມອາດສາມາດຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ ແລະເພີ່ມພື້ນທີ່ການເສື່ອມໂຊມ, ເຊິ່ງຊ່ວຍປັບປຸງແບນວິດ ແລະປະສິດທິພາບການເກັບຂໍ້ມູນຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ.

ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ແຮງດັນໄຟຟ້າຍ້ອນກັບຫຼາຍເກີນໄປອາດຈະເພີ່ມຄວາມມືດແລະສຽງລົບກວນ. ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສ່ວນໃຫຍ່, -5V ສະຫນອງຄວາມດຸ່ນດ່ຽງທີ່ດີລະຫວ່າງຄວາມໄວ, ຄວາມອ່ອນໄຫວ, ແລະການປະຕິບັດສິ່ງລົບກວນ.

ຖາມ: photodiode ນີ້ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 1550nm?

A: ແມ່ນແລ້ວ. BPD-2STO5B-FW ມີລະດັບ spectral ຂອງ 900-1650nm ແລະສະຫນອງການຕອບສະຫນອງສູງ (0.95A/W ປົກກະຕິ) ທີ່ 1550nm, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມດີສໍາລັບ C-band optical ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການສື່ສານແລະການຮັບຮູ້.

ຖາມ: ຊຸດ TO5 ແມ່ນຜະນຶກເຂົ້າກັນໄດ້ບໍ?

A: ແມ່ນແລ້ວ, ຊຸດ TO5 ໄດ້ຖືກປະທັບຕາດ້ວຍກະປ໋ອງໂລຫະແລະປ່ອງຢ້ຽມແກ້ວແປ, ສະຫນອງການປ້ອງກັນຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ, ຝຸ່ນ, ແລະສິ່ງປົນເປື້ອນສິ່ງແວດລ້ອມ. ນີ້ຮັບປະກັນການດໍາເນີນງານໄລຍະຍາວທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມຕ່າງໆ.

Q: ປະລິມານການສັ່ງຊື້ຂັ້ນຕ່ໍາ (MOQ) ແມ່ນຫຍັງ?

A: MOQ ສໍາລັບ 2mm InGaAs PIN Photodiode TO5 ແມ່ນ 1 ຫນ່ວຍ. ພວກເຮົາສະຫນັບສະຫນູນປະລິມານການສັ່ງຊື້ທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ. ສໍາລັບຮູບແບບມາດຕະຖານ, ພວກເຮົາສາມາດສະຫນອງຈາກພຽງແຕ່ສອງສາມຊິ້ນສໍາລັບ R & D ແລະ prototyping ສູງເຖິງຫລາຍພັນຫນ່ວຍສໍາລັບການຜະລິດປະລິມານ. ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາສໍາລັບລາຄາສະເພາະໃນປະລິມານທີ່ທ່ານຕ້ອງການ.

ຖາມ: ທ່ານໃຫ້ການສະຫນັບສະຫນູນແຜ່ນຂໍ້ມູນບໍ?

A: ແມ່ນແລ້ວ, ແຜ່ນຂໍ້ມູນເຕັມແມ່ນມີໃຫ້ດາວໂຫຼດ.

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ

Lead Time-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· ຫົວໜ່ວຍມາດຕະຖານ (ແບບໃນສະຕັອກ): 3-5 ມື້ເຮັດວຽກ

· ການຜະລິດມາດຕະຖານ: 10-15 ມື້ເຮັດວຽກ

· ການສັ່ງຊື້ປະລິມານ: ກະລຸນາຕິດຕໍ່ສໍາລັບຕາຕະລາງການຜະລິດ

· ການຂົນສົ່ງລະຫວ່າງປະເທດ: ~5 ມື້ເຮັດວຽກ (DHL/UPS/FedEx express)

· ການບໍລິການແບບເລັ່ງດ່ວນ: ມີໃຫ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ

ບັນທຶກການເຮັດວຽກ ແລະການຈັດການ-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· Photodiodes ແມ່ນອຸປະກອນທີ່ລະອຽດອ່ອນໃນການໄຫຼ electrostatic (ESD). ຂັ້ນຕອນການປົກປ້ອງ ESD ທີ່ຖືກຕ້ອງຄວນຖືກປະຕິບັດຕາມຕະຫຼອດເວລາໃນລະຫວ່າງການຈັບ.

· ຫຼີກເວັ້ນການສໍາຜັດກັບຕົວນໍາ ແລະປ່ອງຢ້ຽມ optical ໂດຍກົງດ້ວຍນິ້ວມືເປົ່າເພື່ອປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນ ແລະຄວາມເສຍຫາຍຈາກ ESD.

· ເກັບຮັກສາອຸປະກອນທີ່ບໍ່ໄດ້ໃຊ້ຢູ່ໃນບັນຈຸພັນທີ່ປອດໄພຈາກ ESD ຫຼືຖາດ conductive ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ຄວາມເສຍຫາຍຂອງກະແສໄຟຟ້າສະຖິດ.

· ຢ່າເກີນລະດັບສູງສຸດຢ່າງແທ້ຈິງທີ່ລະບຸໄວ້ໃນແຜ່ນຂໍ້ມູນ

· ຖ້າມີການປົນເປື້ອນເກີດຂຶ້ນ, ເຮັດຄວາມສະອາດປ່ອງຢ້ຽມແສງຢ່າງລະມັດລະວັງໂດຍໃຊ້ isopropyl alcohol (IPA) ແລະ swab ທີ່ບໍ່ມີ lint.

· ສັງເກດການຂົ້ວທີ່ຖືກຕ້ອງໃນລະຫວ່າງການດຳເນີນການ. ຄວາມລຳອຽງທີ່ບໍ່ຖືກຕ້ອງອາດສົ່ງຜົນໃຫ້ການເຮັດວຽກທີ່ບໍ່ຖືກຕ້ອງ ແລະອາດເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມເສຍຫາຍຖາວອນພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂປັດຈຸບັນທີ່ເກີນກຳນົດ.

Hot Tags: ຈີນ 2mm InGaAs PIN Photodiode TO5 ຜູ້ຜະລິດ, ສະຫນອງ, ໂຮງງານຜະລິດ

ສົ່ງສອບຖາມ

ຂໍ້ມູນຕິດຕໍ່



ທີ່ຢູ່

ຫ້ອງ 901, ອາຄານ A, Rongchao New Era Plaza, No 3 Lanqing 1st Road, Luhu Community, Guanhu District, Longhua District, Shenzhen, 518110, China


ໂທ

+86-13322933691


ອີເມລ

sales06@boxoptronics.com

ຊອກຫາລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນໃນຄໍາສັ່ງຈໍານວນຫລາຍບໍ? ສົ່ງການສອບຖາມໄປຍັງ Box Optronics ສໍາລັບເລເຊີ DFB ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, SLEDs, ແລະອຸປະກອນເສັ້ນໄຍ PM. ຮັບໃບສະເໜີລາຄາແບບມືອາຊີບພາຍໃນ 24 ຊົ່ວໂມງ.